AIXTRON baut Marktführerschaft bei MOCVD-Anlagen aus
Marktanteil im Jahr 2021 laut Gartner^[1] bei 75% / MOCVD-Markt 2021 um 28% auf USD 561 Mio. gewachsen

Herzogenrath, 25. Mai 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass AIXTRON seinen Marktanteil bei MOCVD im Jahr 2021 ausbauen konnte und somit der größte Anbieter von MOCVD-Anlagen^[2] weltweit ist. Das Marktforschungsinstitut Gartner hat ermittelt, dass AIXTRON einen 75%-Anteil des Marktes innehatte, während die Wettbewerber aus China und den USA mit 14% und 11% deutlich geringere Marktanteile vorwiesen. Gleichzeitig ist der weltweite Markt für MOCVD-Anlagen im Jahr 2021 auf insgesamt USD 561 Mio. um 28% gewachsen (2020: USD 438 Mio.).

Die MOCVD-Anlagen von AIXTRON sind von der Industrie in vielen Märkten als Referenzanlagen akzeptiert. Die AIXTRON-Anlagen kommen bei der Fertigung von Leistungshalbleitern aus Galliumnitrid oder Siliziumkarbid, von Lasern zur 3D-Sensorik und optischen Datenkommunikation oder bei der Fertigung von roten LEDs zum Einsatz. Zunehmend auch bei der Fertigung von Micro LEDs.

"AIXTRON hat in den letzten Jahren einen klaren Fokus auf die MOCVD-Technologie für Verbindungshalbleiter gelegt. Diese Bauteile bieten gegenüber traditionellen, siliziumbasierten Halbleitern immense Vorteile. Deshalb erobern die auf unseren Anlagen produzierten Verbindungshalbleiter immer neue Anwendungsgebiete. Für uns eröffnen sich so erhebliche Wachstumsfelder – und das über viele Jahre und unser gesamtes Technologieportfolio", erklärt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Das Wachstum von AIXTRON wird getrieben durch die Megatrends Nachhaltigkeit, Digitalisierung und Elektrifizierung. AIXTRON ist ein wichtiger Wegbereiter für die zunehmende Elektrifizierung unserer Welt und die Reduktion des Stromverbrauches mittels energieeffizienter Leistungselektronik.

Ansprechpartner

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Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, Gas Foil Rotation®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor

^[1] Gartner: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2021, veröffentlicht im April 2022

^[2] MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition - Metallorganische Gasphasenabscheidung