11.04.2016
AIXTRON SE DE000A0WMPJ6
AIXTRON SE: AIXTRON und Institut Lafayette entwickeln gemeinsam organische Depositionstechnologie OVPD weiter
DGAP-Media / 11.04.2016 / 12:10
AIXTRON und Institut Lafayette entwickeln gemeinsam organische
Depositionstechnologie OVPD weiter
AIXTRON Cluster-Anlage bei französischer Innovationsplattform erfolgreich
installiert und für Kundentests verfügbar
Herzogenrath, 11. April 2016 - AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein
weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass am Institut Lafayette eine neue
OVPD (Organic Vapor Phase Deposition)-Anlage des Unternehmens zur
Herstellung von 200x200 mm-Substraten erfolgreich installiert und getestet
wurde. Die Installation der speziell angefertigten Anlage ist ein wichtiger
Meilenstein und bedeutet für das Institut Lafayette, das auf dem
internationalen Campus des Georgia Institute of Technology in Metz
(Frankreich) angesiedelt ist, einen weiteren Schritt in Richtung seiner
vollständigen Betriebsbereitschaft.
Die neu getestete OVPD-Clusteranlage und das zuvor schon in Betrieb
genommene MOCVD-System sind am Institut Lafayette die beiden zentralen
Möglichkeiten zur Herstellung von Halbleitern. Sie vervollständigen den
bestehenden Anlagenpark, der alle Schlüsseltechnologien für die
Herstellung, Prüfung und Prototypenentwicklung opto-elektronischer
Bauelemente abdeckt und in einem 500 m2 großen Reinraum untergebracht ist.
AIXTRON's OEC-200 OVPD-Anlage umfasst acht STExS-Quellen (Short Thermal
Exposure Source), die feste organisch-elektronische Materialien mittels
eines schnellen und effizienten Prozesses in die Gasphase überführen und
dabei die für bestimmte Materialien schädliche Hitzebelastung minimieren.
Die Materialien in der Gasphase werden unter Nutzung von AIXTRON's
Showerhead-Technologie in einem Reaktor unter niedrigen Vakuumbedingungen
(Millibar-Bereich) durch ein kontrollierbares, heißes Trägergas auf die
gekühlten Substrate abgeschieden. Die Taktung der mit dieser Technologie
abgeschiedenen Materialien (bis zu 5 nm/s) lässt sich durch die Regelung
des Materialflusses und der Materialkonzentration der heißen Gase im
Showerhead anpassen. Dies ermöglicht eine bessere Kontrolle der Dicke und
eine präzise Zusammensetzung der Filme. Die Reaktorkammer ist mit einer
Vakuumkammer verbunden, die die Abscheidung von Metallelektroden für die
Demonstration und Prüfung funktionierender Bauelemente erlaubt.
Mit seinen einzigartigen Eigenschaften verfügt das OVPD-Verfahren über das
Potenzial die aktuell bestehenden Grenzen und Zweifel an der
konventionellen Vakuumverdampfung (VTE) aufzuheben. Es könnte die
zukunftsweisende Depositionstechnologie für die großflächige,
kostensparende Produktion der zunehmend aufkommenden organischen
Elektronikbauelemente sein, insbesondere der organischen Leuchtdioden
(OLED) für Displays und Beleuchtung sowie organischer
Photovoltaikbauelemente für die Erzeugung erneuerbarer Energie.
Die im OVPD-Prozess genutzte Showerhead-Technologie von AIXTRON besitzt den
Vorteil, dass sie leicht skalierbar ist. Dies zeigen auch die jüngsten
Testergebnisse der neuen Gen8-Demonstrationsanlage, die am Hauptsitz von
AIXTRON in Herzogenrath ihren Betrieb aufgenommen hat.
Mit seinem eigenen Team von Ingenieuren im Bereich der organischen
Elektronik sowie einzigartigen F&E Produktions- und Testeinrichtungen, ist
das Institut Lafayette für erste Tests mit potenziellen Kunden gut
gerüstet. Das IL bekennt sich zur weiteren Validierung der OVPD als der
zukunftsweisenden Depositionstechnologie der Wahl.
Unter Anerkennung ihrer sich ergänzenden Stärken und der langen Geschichte
in der Entwicklung von Halbleitermaterialien und -bauelementen sowie der
Bereitstellung von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, haben
das Institut Lafayette und AIXTRON eine Partnerschaft vereinbart. Eine
entsprechende Absichtserklärung wurde am 8. April 2016 im Beisein von
Thierry Mandon, französischer Minister für Bildung und Forschung, und
Marianne There-Mane, deutsche Konsulin in Straßburg, sowie von Stefan Kern,
Referatsleiter Wissenschaft und Technologie an der deutschen Botschaft, in
Metz unterzeichnet.
Abdallah Ougazzaden, Professor am Georgia Institute of Technology und
Co-Präsident des Institut Lafayette, sagt: "Wir sind sehr zufrieden mit der
umfassenden Unterstützung durch AIXTRON während der Inbetriebnahme,
Installation und Testphase sowohl unserer MOCVD- als auch der OVPD-Anlage.
Basierend auf dieser vertrauensvollen Zusammenarbeit, sind wir äußerst
zuversichtlich unsere gemeinsamen Ziele zu erreichen."
"Wir freuen uns mit einer internationalen Forschungsinstitution wie dem
Georgia Institute of Technology und dem Institut Lafayette zusammen zu
arbeiten, um die Innovationen in der Optoelektronik sowie die Erforschung
moderner Halbleitermaterialien mit unserer technisch führenden OVPD- und
MOCVD-Produktionsanlagen zu unterstützen. Wir freuen uns auf eine lebhafte
Partnerschaft zur Weiterentwicklung zukunftsorientierter und wegweisender
Halbleitertechnologien", erklärt Martin Goetzeler, Vorstandsvorsitzender
der AIXTRON SE.
Bernard Kippelen, Professor am Georgia Institute of Technology und
Co-Präsident des Institut Lafayette, sagt: "Mit unserer OVPD-Anlage die
operative Phase erreicht zu haben, ist ein wichtiger Meilenstein für unsere
neu geschaffene Innovationsplattform. Unsere Teams und Partner auf beiden
Seiten des Atlantiks haben unermüdlich daran gearbeitet diesen Punkt zu
erreichen. Es ist ein weiterer Beleg für die Stärke der langjährigen
Partnerschaft zwischen dem Georgia Tech, der Stadt Metz und Lothringens."
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen
Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und
Repräsentanzen in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft
werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von
leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische
Anwendungen auf Basis von Verbindungs-, Silizium- oder organischen
Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl
innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenspeicherung und
-übertragung, Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Die OVPD(R)-Technologie wurde exklusiv von Universal Display Corporation
(UDC), Ewing, N.J./USA, an AIXTRON zum Bau von Anlagen lizenziert. Sie
basiert auf einer Erfindung von Professor Stephen R. Forrest et. al. an der
Princeton University, USA, die wiederum exklusiv an UDC lizenziert wurde.
AIXTRON und UDC haben gemeinsam einen OVPD(R)-Prototypen zur
OLED-Herstellung entwickelt und qualifiziert.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), Atomic Level
SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), Gas Foil Rotation(R),
OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ:
AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Über Institut Lafayette
Das Institut Lafyette ist eine Innovationsplattform, die vor Kurzem auf dem
Gelände des Technopole in Metz (Frankreich) in Partnerschaft mit dem
Georgia Institute of Technology eingerichtet wurde. Sein Auftrag ist die
Unterstützung öffentlicher Forschungsinstitutionen und privater Unternehmen
durch die Bereitstellung von Technologietransfer- und
Vermarktungsdienstleistungen, Zugang zu modernster technischer
Infrastruktur und technischer Expertise im Bereich neuer
Halbleitermaterialien, -komponenten und -bauelementen für
opto-elektronische Anwendungen. Das IL ist eine private, französische
Einrichtung, die teilweise durch die französische Regierung, lokale
Regierungsbehörden und die FEDER Fonds der EU gefördert wird.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der "Safe
Harbor"-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation
Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten",
"rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben",
"fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche
Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und
Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die tatsächlichen Ergebnisse und
Trends können wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen
abweichen. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die
tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der
Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen
Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die
Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen
für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen,
Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der
Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen,
Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der
Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen aufgeführt und bei der U.S.
Securities and Exchange Commission eingereicht hat. In dieser Mitteilung
enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen
Einschätzungen und Prognosen des Vorstands sowie den ihm derzeit
verfügbaren Informationen und haben Gültigkeit zum Zeitpunkt dieser
Mitteilung. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder
Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen,
künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche
rechtliche Verpflichtung besteht.
Ende der Pressemitteilung
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Industrie
11.04.2016 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP -
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Sprache: Deutsch
Unternehmen: AIXTRON SE
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52134 Herzogenrath
Deutschland
Telefon: +49 (2407) 9030-0
Fax: +49 (2407) 9030-40
E-Mail: [email protected]
Internet: www.aixtron.com
ISIN: DE000A0WMPJ6, US0096061041
WKN: A0WMPJ, A0D82P
Indizes: TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);
Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, München, Stuttgart;
Terminbörse EUREX; Nasdaq
Ende der Mitteilung DGAP-Media
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